30 sept. 2011

Memoria FeTRAM para más rapidez y eficiencia que la SRAM


Despediros de la SRAM, el futuro está en la FeTRAM, un nuevo tipo de memoria que promete no sólo mayor velocidad que la SRAM sino además mucho menor consumo eléctrico. Pero no tiréis cohetes porque todavía le queda bastante para llegar a comercializarse y que todos podemos disfrutar de ella.


La memoria FeTRAM ha sido desarrollada por científicos de la Universidad Purdue y su nombre viene de la utilización de material ferroeléctrico y creen que gracias a sus numerosas propiedades podrían reemplazar la memoria convencional.

Con cierta similitud con la memoria FeRAM en el uso de material ferroeléctrico, la FeTRAM almacena la información leyendo la polaridad cambiante de los transistores ferroeléctricos creados combinando nanocables de silicio con un polímero ferroeléctrico.

Además son compatibles con los métodos de fabricación de CMOS. Pero lo importante es que mantienen la información durante años, permiten innumerables ciclos de lectura y escritura y además de su mayor rapidez tiene el potencial de usar un 99% menos de energía que la memoria flash.

Ya veremos si al final esta tecnología llega a buen puerto y tenemos dispositivos con menos consumo y que no generen tanto calor. [Nano Letters]


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